NTTFSSH1D3N04XL

onsemi
863-NTTFSSH1D3N04XL
NTTFSSH1D3N04XL

メーカ：

詳細：
MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥505.3 ¥505
¥322.7 ¥3,227
¥220.1 ¥22,010
¥182.6 ¥91,300
¥169.5 ¥169,500
完全リール（3000の倍数で注文）
¥163 ¥489,000
¥158.9 ¥953,400

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
207 A
1.3 mOhms
20 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Single
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: PH
下降時間: 4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 123 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5 ns
シリーズ: NTTFSSH1D3N04XL
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 43 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、フットプリントが小さく、コンパクトで効率的な設計向けに設計されています。伝導損失とドライバ損失を最小限に抑える低RDS（ON）、低QG 、および静電容量を備えたパワーMOSFETです。これらのMOSFETは、40V、60V、80Vドレイン・ソース電圧および±20Vゲート・ソース電圧が利用可能です。onsemiシングルNチャネル・パワーMOSFETは、鉛フリーおよびRoHS準拠デバイスです。

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