NVH4L012N065M3S

Name: onsemi NVH4L012N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L012N065M3S
Price: 3192 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

863-NVH4L012N065M3S

メーカ番号：

NVH4L012N065M3S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	102 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	17 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	135 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	EliteSiC
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	12 ns
パッケージ化:	Tube
製品:	SiC MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	23 ns
シリーズ:	NVH4L012N065M3S
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	49 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5 ns

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