NVMFS6H801NT1G

onsemi
863-NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G

メーカ:

詳細:
MOSFET TRENCH 8 80V NFET

ECADモデル:
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在庫: 13,827

在庫:
13,827 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
23 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(1500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥496 ¥496
¥363.2 ¥3,632
¥254.4 ¥25,440
¥220.8 ¥110,400
¥201.6 ¥201,600
完全リール(1500の倍数で注文)
¥182.4 ¥273,600
¥177.6 ¥532,800
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
80 V
157 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
166 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 19 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 128 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 74 ns
シリーズ: NVMFS6H801N
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 70 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 25 ns
単位重量: 750 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NVMFS6H8xパワーMOSFET

onsemi NVMFS6H8xパワーMOSFETは、80V、シングルNチャンネル、コンパクトな設計のためのフットプリントになっています。これらのパワーMOSFETは、2.1mΩ、2.8mΩ、3.7mΩの各抵抗範囲でご用意があります。特徴には、導電損失を最小限に抑える低RDS(on)、低QG、低容量があります。NVMFS6H8xパワーMOSFETは、RoHSに準拠しており、AEC-Q101の認定を受けています。これらのパワーMOSFETは、-55°C~175°Cの動作温度範囲で動作します。

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (RDS(ON)) 、超低ゲート充電 (Qg) 、低 (Qg) ×RDS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQg とQoss が35%~40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査(AOI)が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。