NVMFS6H818NT1G

Name: onsemi NVMFS6H818NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H818NT1G
Price: 537 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NVMFS6H818NT1G

メーカ番号：

NVMFS6H818NT1G

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET TRENCH 8 80V NFET

データシート:

NVMFS6H818NT1G データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

onsemi NVMFS6H818NT1Gの詳細を読む

在庫状況

在庫：: 在庫なし

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 23 週間工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（1500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥537.6	¥538
	¥358.4	¥3,584
	¥256	¥25,600
	¥227.2	¥113,600
	¥224	¥224,000
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥187.2	¥280,800
	¥184	¥552,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SO-8FL-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	123 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	46 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	136 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	21 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	98 ns
シリーズ:	NVMFS6H818N
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	49 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	22 ns
単位重量:	750 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

NVMFS6H818NT1G データシート

Models

NVMFS6H818NT1G Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8xパワーMOSFET

onsemi NVMFS6H8xパワーMOSFETは、80V、シングルNチャンネル、コンパクトな設計のためのフットプリントになっています。これらのパワーMOSFETは、2.1mΩ、2.8mΩ、3.7mΩの各抵抗範囲でご用意があります。特徴には、導電損失を最小限に抑える低R_DS(on)、低Q_G、低容量があります。NVMFS6H8xパワーMOSFETは、RoHSに準拠しており、AEC-Q101の認定を受けています。これらのパワーMOSFETは、-55°C～175°Cの動作温度範囲で動作します。

PowerTrench® MOSFET

Fairchildは業界で最も幅広い PowerTrench® MOSFET 製品群を取り揃えています。用途に合わせて最適なMOSFETを幅広い技術の中からお選びください。Fairchild は低R_DS(オン)切り替え性能と頑丈さを実現するために最適化された高度なPowerTrench®プロセスを採用したMOSFETのNチャネルバージョンとCチャネルバージョンを提供しています。PowerTrench® MOSFETは、ロードスイッチ、プライマリスイッチ、モバイルコンピューティング、DC-DCコンバータ、同期整流器を始めとするほとんどの用途のニーズを満たすため、幅広い品揃えとなっています。
詳細

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (R_DS(ON)) 、超低ゲート充電 (Q_g) 、低 (Q_g) ×R_DS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQ_g とQ_oss が35%～40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査（AOI）が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。