NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 27721 JPY
Availability: InStock

Mouser 番号：

863-H007F120M3F2PTHG

メーカ番号：

NXH007F120M3F2PTHG

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFETモジュール 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

データシート:

NXH007F120M3F2PTHG データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Press Fit
パッケージ/ケース:	PIM-34
トランジスタ極性:	N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	149 A
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.72 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	353 W
シリーズ:	NXH007F120M3F2PTHG
パッケージ化:	Tray
ブランド:	onsemi
構成:	Full Bridge
下降時間:	13.2 ns
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	12 ns
工場パックの数量:	20
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	EliteSiC
タイプ:	Full Bridge
標準電源切断遅延時間:	121.6 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	37.2 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	5.03 V

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データシート

NXH007F120M3F2PTHG データシート

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET

onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFETは、フルブリッジとサーミスタを搭載したパワーモジュールで、F1パッケージに格納されています。これらのMOSFETは、サーミスタと圧入ピンが特徴です。NXH0x0F120MNF1モジュールは、熱界面材料 (TIM) の事前塗布あり、またはTIMの事前塗布なしから選択できます。これらのモジュールは、ソーラー・インバータ、無停電電源装置 (UPS)、電気自動車充電ステーション、産業用電源などの用途に最適です。NXH0x0F120MNF1モジュールは、鉛フリー、ハロゲン・フリー、RoHSに準拠しています。これらのモジュールの保存温度範囲は-40°C～150°C、動作接合部温度範囲は-40°C～175°Cです。