PBZTBR112B

ROHM Semiconductor
755-PBZTBR112B
PBZTBR112B

メーカ：

詳細：
ツェナーダイオード 1000mW, 9V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,910

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工場リードタイム：
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥143.4 ¥143
¥89.3 ¥893
¥57.9 ¥5,790
¥44.2 ¥22,100
¥39.8 ¥39,800
完全リール（3000の倍数で注文）
¥33.4 ¥100,200
¥31.3 ¥187,800
¥28.4 ¥255,600

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: ツェナーダイオード
RoHS:  
12 V
SMD/SMT
DO-214AA-2
1 W
10 uA
+ 150 C
Single
20 mA
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
高さ: 3.94 mm
Ir - 逆電流（Reverse Current）: 10 uA
長さ: 4.7 mm
製品タイプ: Zener Diodes
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
幅: 2.45 mm
ツェナー電流: 10 uA
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100030
USHTS:
8541100050
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

PBZTBR1xツェナーダイオード

ROHM Semiconductor PBZTBR1xツェナーダイオードは、シリコン・エピタキシャル・プレーナ構造の高信頼性・小型パワーモールドタイプが特徴です。これらのツェナーダイオードは、1000mWの電力損失および150°Cの接合部温度を実現します。PBZTBR1xツェナーダイオードは、-55°C ～ 150°Cの温度範囲で格納されています。これらのツェナーダイオードは、DO-214AA (SMB) パッケージでご用意があります。PBZTBR1xツェナーダイオードは、 電圧制御に使用されます。

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