PBZTBR112B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR112B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR112B
Price: 146 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-PBZTBR112B

メーカ番号：

PBZTBR112B

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

ツェナーダイオード 1000mW, 9V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

データシート:

PBZTBR112B データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	ツェナーダイオード
RoHS:
Vz - ツェナー電圧（Zener Voltage）:	12 V
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DO-214AA-2
Pd - 電力損失:	1 W
Ir - 最大逆漏洩電流:	10 uA
最高動作温度:	+ 150 C
構成:	Single
テスト電流:	20 mA
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
高さ:	3.94 mm
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	10 uA
長さ:	4.7 mm
製品タイプ:	Zener Diodes
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
幅:	2.45 mm
ツェナー電流:	10 uA

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データシート

PBZTBR112B データシート (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100030
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

PBZTBR1xツェナーダイオード

ROHM Semiconductor PBZTBR1xツェナーダイオードは、シリコン・エピタキシャル・プレーナ構造の高信頼性・小型パワーモールドタイプが特徴です。これらのツェナーダイオードは、1000mWの電力損失および150°Cの接合部温度を実現します。PBZTBR1xツェナーダイオードは、-55°C ～ 150°Cの温度範囲で格納されています。これらのツェナーダイオードは、DO-214AA (SMB) パッケージでご用意があります。PBZTBR1xツェナーダイオードは、電圧制御に使用されます。