PJD15P06A-AU_L2_000A1

Panjit
241-PJD15P06AAUL2000
PJD15P06A-AU_L2_000A1

メーカ：

詳細：
MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 2,595

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3,000
予想2026/07/06
工場リードタイム：
20
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥133.7 ¥134
¥83.1 ¥831
¥53.8 ¥5,380
¥41.2 ¥20,600
¥37.2 ¥37,200
完全リール（3000の倍数で注文）
¥36.8 ¥110,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Panjit
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252AA-3
P-Channel
1 Channel
60 V
15 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Panjit
構成: Single
下降時間: 16 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 30 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 52 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.4 ns
単位重量: 297 mg
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選択した属性: 0

データシート

Application Notes

PCN

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
台湾
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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