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PJP75N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP75N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP75N06SAAU06A1
Price: 285 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

241-PJP75N06SAAU06A1

メーカ番号：

PJP75N06SA-AU_T0_006A1

メーカ：

Panjit

詳細：

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 データシート (PDF)

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Panjit PJP75N06SA-AU_T0_006A1の詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Panjit
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220AB-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	64 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	27 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	75 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Panjit
構成:	Single
下降時間:	50 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	28 ns
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	22 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7.8 ns
単位重量:	2.095 g

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データシート

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.