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PJQ44605AP-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ44605AP-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ44605APAUR200
Price: 212 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

241-PJQ44605APAUR200

メーカ番号：

PJQ44605AP-AU_R2_002A1

メーカ：

Panjit

詳細：

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

ライフサイクル:

新製品:

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データシート:

PJQ44605AP-AU_R2_002A1 データシート (PDF)

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Panjit PJQ44605AP-AU_R2_002A1の詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Panjit
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN3333-8L
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	38 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	28 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	44 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	75 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Panjit
構成:	Single
下降時間:	21 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9 ns
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	41 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7 ns
単位重量:	30 mg

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データシート

PJQ44605AP-AU_R2_002A1 データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.