PMV75UP,215

Name: Nexperia PMV75UP,215
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMV75UP215
Price: 68 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

771-PMV75UP215

メーカ番号：

PMV75UP,215

メーカ：

Nexperia

詳細：

MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.5A

データシート:

PMV75UP,215 データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 2,713

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パッケージング:

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カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥68.1	¥68
	¥46.7	¥467
	¥29.6	¥2,960
	¥18.6	¥9,300
	¥16.3	¥16,300
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥14.8	¥44,400

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-23-3
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	20 V
Id - 連続ドレイン電流:	3.2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	77 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 12 V, 12 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	900 mV
Qg - ゲート電荷:	5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Nexperia
構成:	Single
下降時間:	50 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	15 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	14 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	120 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6 ns
別の部品番号:	934066296215
単位重量:	8 mg

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選択した属性: 0

                        
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ドキュメントの絞り込み:

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541210101
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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詳細

SOT23表面実装パッケージ製品

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