PSMN2R8-40YSBX

Name: Nexperia PSMN2R8-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R8-40YSBX
Price: 244 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

771-PSMN2R8-40YSBX

メーカ番号：

PSMN2R8-40YSBX

メーカ：

Nexperia

詳細：

MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A

データシート:

PSMN2R8-40YSBX データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 1,908

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	¥102.9	¥10,290
	¥80.7	¥40,350
	¥77.4	¥77,400
	¥66.5	¥99,750

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	Power-SO8-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	160 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.8 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.6 V
Qg - ゲート電荷:	42 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	147 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Nexperia
構成:	Single
下降時間:	9 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	8 ns
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
標準電源切断遅延時間:	22 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
別の部品番号:	934665895115

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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