PSMN3R5-30YL,115

Name: Nexperia PSMN3R5-30YL,115
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN3R5-30YL-T/R
Price: 278 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

771-PSMN3R5-30YL-T/R

メーカ番号：

PSMN3R5-30YL,115

メーカ：

Nexperia

詳細：

MOSFET PSMN3R5-30YL/SOT669/LFPAK

ライフサイクル:

NRND:

新デザインには推奨しません。

データシート:

PSMN3R5-30YL,115 データシート (PDF)

ECADモデル:

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パッケージング:

完全リール（1500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥278.4	¥278
	¥177.6	¥1,776
	¥168	¥8,400
	¥118.6	¥11,860
	¥93.6	¥46,800
完全リール（1500の倍数で注文）
	¥81.4	¥122,100
	¥75.2	¥225,600
	¥72.2	¥324,900

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOT-669-5
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	100 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1.3 V
Qg - ゲート電荷:	41 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	74 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Nexperia
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
別の部品番号:	934063073115
単位重量:	91.420 mg

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選択した属性: 0

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データシート

PSMN3R5-30YL,115 データシート (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PSMN NチャンネルMOSFET

Nexperia PSMN NチャネルMOSFETには、標準およびロジックレベル、レギュラーおよびエンハンスメントモード、LFPAK、LFPAK88、I2PAK、TO-220、およびDFN3333-8パッケージの150℃または175℃認定NチャネルMOSFETが含まれます。NexperiaのPSMN NチャネルMOSFETは、産業用、通信、家庭用機器など幅広い用途向けに設計および認定されています。

PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low R_DSon and low gate charge. These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.