QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 320 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-QH8JB5TCR

メーカ番号：

QH8JB5TCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

データシート:

QH8JB5TCR データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSMT-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	41 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	10 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	17.2 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.5 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	43 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	18 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 - P Channel
標準電源切断遅延時間:	82 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9.2 ns
別の部品番号:	QH8JB5
単位重量:	10 mg

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Application Notes

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Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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