QH8JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JE5TCR
Price: 217 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-QH8JE5TCR

メーカ番号：

QH8JE5TCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

データシート:

QH8JE5TCR データシート

ECADモデル:

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	¥71	¥35,500
	¥64.6	¥64,600
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥56.3	¥168,900
	¥52.3	¥313,800
	¥49.3	¥443,700

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSMT-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	270 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	19.7 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.5 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	48 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	3.2 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	105 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	7.3 ns

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