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QH8KB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8KB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8KB5TCR
Price: 199 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-QH8KB5TCR

メーカ番号：

QH8KB5TCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

データシート:

QH8KB5TCR データシート

ECADモデル:

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	¥125.1	¥1,251
	¥118.4	¥11,840
	¥95	¥47,500
	¥66.4	¥66,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥48.3	¥144,900
	¥46.8	¥421,200
	¥45.3	¥1,087,200

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSMT-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	4.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	44 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	3.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.5 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	2.7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	1.7 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4.4 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	11 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	5 ns
別の部品番号:	QH8KB5

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選択した属性: 0

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データシート

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

シリコンパワーMOSFET

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QH8KデュアルNch+Nch小信号MOSFET

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電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。