R8019KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8019KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8019KNZ4C13
Price: 1644 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-R8019KNZ4C13

メーカ番号：

R8019KNZ4C13

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET TO247 800V N CH 19A

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

R8019KNZ4C13 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

ROHM Semiconductor R8019KNZ4C13の詳細を読む

在庫: 600

在庫：: 600 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 20 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥1,644.7	¥1,645
	¥1,141	¥11,410
	¥875.3	¥87,530

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247G-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	19 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	265 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	65 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	208 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	60 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	2.5 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	50 ns
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	110 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	35 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

R8019KNZ4C13 データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

小信号デュアルチャンネルMOSFET

ROHM Semiconductor 小信号デュアルチャネルMOSFETは、低オン抵抗と高速スイッチングを特長としています。これらのMOSFETはRoHSに準拠しており、無鉛メッキが施されています。デュアルチャンネルMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲で動作します。これらのMOSFETは、モータドライブおよびスイッチングアプリケーションで使用されます。