R8019KNZ4C13

ROHM Semiconductor
755-R8019KNZ4C13
R8019KNZ4C13

メーカ：

詳細：
MOSFET TO247 800V N CH 19A

ライフサイクル:
新製品:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,584 ¥1,584
¥1,240 ¥12,400
¥1,036.8 ¥103,680
¥880 ¥528,000
¥801.6 ¥961,920

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247G-3
N-Channel
1 Channel
800 V
19 A
265 mOhms
30 V
4.5 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 60 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 2.5 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 50 ns
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 110 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 35 ns
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選択した属性: 0

データシート

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

小信号デュアルチャンネルMOSFET

ROHM Semiconductor 小信号デュアルチャネルMOSFETは、低オン抵抗と高速スイッチングを特長としています。これらのMOSFETはRoHSに準拠しており、無鉛メッキが施されています。デュアルチャンネルMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲で動作します。これらのMOSFETは、モータドライブおよびスイッチングアプリケーションで使用されます。

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