RD3G07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3G07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G07BBGTL1
Price: 523 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RD3G07BBGTL1

メーカ番号：

RD3G07BBGTL1

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

データシート:

RD3G07BBGTL1 データシート

ECADモデル:

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	¥372.8	¥3,728
	¥265.6	¥26,560
	¥244.8	¥122,400
	¥238.4	¥238,400
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥212.8	¥532,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	150 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	56 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	89 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	62 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	27 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	21 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	90 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	22 ns

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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