RD3G07BBGTL1

ROHM Semiconductor
755-RD3G07BBGTL1
RD3G07BBGTL1

メーカ：

詳細：
MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
ROHM Semiconductor RD3G07BBGTL1の詳細を読む

在庫: 967

在庫：
967 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥622.7 ¥623
¥407.5 ¥4,075
¥285.3 ¥28,530
¥231.5 ¥115,750
完全リール（2500の倍数で注文）
¥216.8 ¥542,000

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
40 V
150 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
89 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 62 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 27 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 21 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 90 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 22 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。