RGS50TSX2GC11

ROHM Semiconductor
755-RGS50TSX2GC11
RGS50TSX2GC11

メーカ：

詳細：
IGBT 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 721

在庫：
721 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
22 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,252.8 ¥1,253
¥851.2 ¥8,512
¥720 ¥72,000
¥672 ¥302,400
¥646.4 ¥581,760
25,200 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247N-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
30 V
50 A
395 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
ゲート - エミッタ リーク電流: 500 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: IGBTs
別の部品番号: RGS50TSX2
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選択した属性: 0

データシート

PCN

Specification Sheets

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CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBT

ROHM Semiconductor RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBTは、10µs SCSOA（短絡安全動作領域）保証の絶縁ゲートバイポーラトランジスタで、一般的なインバータ、UPS、PVインバータ、パワーコンディショナ・アプリケーションに適しています。RGSx0TSX2x IGBTには、サイズの削減と効率性の向上に貢献する低導通損失が備わっています。これらのデバイスには、独自のトレンチゲートおよび薄型ウエハー技術が活用されています。これらのテクノロジーは、スイッチング損失が低減される低コレクタエミッタ飽和電圧（VCE(sat)）の達成に貢献します。これらのIGBTは、さまざまな高電圧・大電流アプリケーションでの省エネを改善します。

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