RJ1G10BBGTL1

ROHM Semiconductor
755-RJ1G10BBGTL1
RJ1G10BBGTL1

メーカ：

詳細：
MOSFET Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
ROHM Semiconductor RJ1G10BBGTL1の詳細を読む

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
TO-263AB-3
N-Channel
1 Channel
40 V
280 A
1.43 mOhms
20 V
2.5 V
210 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 340 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 70 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 64 ns
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 280ns
ターンオン時の標準遅延時間: 49 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RJ1x10BBG パワーMOSFET

ローム株式会社の  RJ1x10BBG パワーMOSFETは、低オン抵抗とハイパワーパッケージを特長とするNチャネルパワーMOSFETです。RJ1G10BBG、およびRJ1L10BBGパワーMOSFETは、40Vおよび60Vのドレイン・ソース電圧、 ±280Aおよび ±240Aの連続ドレイン電流、192Wの電力損失を備えています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、RoHSに準拠しています。これらのパワーMOSFETは、無鉛メッキが特徴で、ハロゲンフリー、RgおよびUIS試験を100%完了しています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲内で動作します。代表的なアプリケーションには、スイッチング、モータドライブ、DC/ DCコンバータがあります。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

在庫: 800

在庫：
800 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
33 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,200.9 ¥1,201
¥642.8 ¥6,428
¥588 ¥58,800
¥526.5 ¥263,250
完全リール（800の倍数で注文）
¥526.5 ¥421,200

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。