RJ1L10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1L10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1L10BBGTL1
Price: 1239 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-RJ1L10BBGTL1

メーカ番号：

RJ1L10BBGTL1

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Transistor, Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263AB-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	240 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	1.85 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	160 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	192 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	140 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	64 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	31 ns
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	230 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	49 ns

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

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ローム株式会社の RJ1x10BBG パワーMOSFETは、低オン抵抗とハイパワーパッケージを特長とするNチャネルパワーMOSFETです。RJ1G10BBG、およびRJ1L10BBGパワーMOSFETは、40Vおよび60Vのドレイン・ソース電圧、 ±280Aおよび ±240Aの連続ドレイン電流、192Wの電力損失を備えています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、RoHSに準拠しています。これらのパワーMOSFETは、無鉛メッキが特徴で、ハロゲンフリー、RgおよびUIS試験を100%完了しています。RJ1x10BBG パワーMOSFETは、-55°C ~ 150°Cの温度範囲内で動作します。代表的なアプリケーションには、スイッチング、モータドライブ、DC/ DCコンバータがあります。