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RQ3G270BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G270BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G270BJFRATCB
Price: 347 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RQ3G270BJFRATCB

メーカ番号：

RQ3G270BJFRATCB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

データシート:

RQ3G270BJFRATCB データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	HSMT-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	27 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	22 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 5 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	32 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	69 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	37 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	11 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	126 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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選択した属性: 0

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データシート

RQ3G270BJFRATCB データシート

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RQ3xFRATCBパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCBパワーMOSFETは、AEC-Q101-qualified、車載グレードのMOSFETです。これらのMOSFETは、-40V ~ 100Vドレイン-ソース電圧範囲、8端子、最大69W電力損失、 ±12A ~ ±27A連続ドレイン電流が特徴です。RQ3xFRATCBパワーMOSFETは、NチャンネルおよびPチャンネルでご用意があります。これらのパワーMOSFETは、小型3.3mm x 3.3mm HSMT8AGパッケージに収められています。RQ3xFRATCBパワーMOSFETは、先進運転支援システム(ADAS) 、インフォテインメント、照明、本体に最適です。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。