RQ7G080ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7G080ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7G080ATTCR
Price: 310 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RQ7G080ATTCR

メーカ番号：

RQ7G080ATTCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET TSMT8 P-CH -40V -8A

データシート:

RQ7G080ATTCR データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

ROHM Semiconductor RQ7G080ATTCRの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TSMT-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	8 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	18.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	37 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	1.5 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	105 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	11 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	42 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P - Channel
標準電源切断遅延時間:	145 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
別の部品番号:	RQ7G080AT
単位重量:	10 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

RQ7G080ATTCR データシート

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RQ7 PchパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RQ7 Pch、パワーMOSFETは、低オン抵抗を特性とし、小型面実装パッケージ（TSMT）に複合しています。ROHMは、小信号製品から800Vの高電圧製品まで幅広い電圧のラインアップを提供しています。電源やモーター駆動回路のようなさまざまなアプリケーションに使用できます。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。