SCS220AE2HRC11

ROHM Semiconductor
755-SCS220AE2HRC11
SCS220AE2HRC11

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード AECQ

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 1,924

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,598.4 ¥1,598
¥940.8 ¥9,408
¥838.4 ¥83,840
¥804.8 ¥362,160
2,700 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
Dual
20 A
650 V
1.55 V
76 A
200 uA
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
Pd - 電力損失: 160 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 450
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
別の部品番号: SCS220AE2HR
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

AEC-Q101 SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiCショットキー・バリア・ダイオードは、破壊電圧600Vを供給します。これは、シリコンSBDSの上限を大きく上回っています。AEC-Q101ダイオードには、SiCが活用されており、PFC回路とインバータに最適です。 また、高速スイッチングが有効で、非常に小さな逆リカバリ時間があります。これによって、逆回復電荷の低減、スイッチング損失の削減、最終製品の小型化がもたらされます。AEC-Q101 SiCショットキーバリアダイオードには、650V〜1200Vの逆方向電圧範囲、1.2uA〜260uAの連続順方向電流範囲、48W〜280Wの総電力損失範囲が備わっています。また、最高+175℃までの温度が備わっており、TO-220、TO-247、TO-263パッケージでご用意があります。

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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