SCS220AGC17

ROHM Semiconductor
755-SCS220AGC17
SCS220AGC17

メーカ：

詳細：
SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen

ライフサイクル:
NRND:
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データシート:
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合計 額:
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合計 額
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¥696 ¥6,960
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製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:  
Through Hole
TO-220ACG-2
Single
20 A
650 V
1.55 V
68 A
400 uA
+ 175 C
Tube
ブランド: ROHM Semiconductor
Pd - 電力損失: 136 W
製品タイプ: SiC Schottky Diodes
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Diodes & Rectifiers
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）: 650 V
別の部品番号: SCS220AG
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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JPHTS:
854110090
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
詳細

TO-220ACG SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor TO-220ACGシリコンカーバイド（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、650V～1200Vの逆方向電圧範囲および1.2µA～20.0µAの連続逆方向電流範囲が特徴です。また、SiCテクノロジーの活用によって低静電容量性電荷（QCを維持できるため、高速スイッチング動作に対応しながらスイッチング損失の低減を実現します。さらに、温度の上昇とともに逆方向回復に要する時間（リカバリ時間）も長くなるSiバンド高速リカバリダイオードとは異なり、SiCは一貫した特性を維持するため良好な性能をもたらします。

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