SCT020HU120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT020HU120G3AG
SCT020HU120G3AG

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
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600
予想2027/05/24
工場リードタイム：
22
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（600の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥3,709.9 ¥3,710
¥2,771 ¥27,710
¥2,396.1 ¥239,610
完全リール（600の倍数で注文）
¥2,119 ¥1,271,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
100 A
28 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
121 nC
- 55 C
555 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 34 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: SiC MOSFETS
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 57 ns
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 101 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 54 ns
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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