SCT040H120G3AG

STMicroelectronics
511-SCT040H120G3AG
SCT040H120G3AG

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
40 A
54 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 19.2 ns
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 21.1 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ極性: N-Channel
標準電源切断遅延時間: 36.3 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 12.9 ns
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
イタリア
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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在庫: 972

在庫：
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工場リードタイム：
25 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,263.9 ¥2,264
¥1,287.3 ¥12,873
¥1,284 ¥128,400
完全リール（1000の倍数で注文）
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