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SCT040HU65G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040HU65G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040HU65G3AG
Price: 2263 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-SCT040HU65G3AG

メーカ番号：

SCT040HU65G3AG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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データシート:

SCT040HU65G3AG データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	H2PAK-2
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	7 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	40 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5 V
Qg - ゲート電荷:	36 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	266 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	STMicroelectronics
下降時間:	35.5 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	4 ns
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	57 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
単位重量:	2.320 g

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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