SCT4020DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4020DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4020DLLTRDC
Price: 3825 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-SCT4020DLLTRDC

メーカ番号：

SCT4020DLLTRDC

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

SiC MOSFET TOLL 750V 80A SIC

ライフサイクル:

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データシート:

SCT4020DLLTRDC データシート (PDF)

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	¥2,664	¥5,328,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TOLL-9
トランジスタ極性:	N Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	750 V
Id - 連続ドレイン電流:	80 A
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.8 V
Qg - ゲート電荷:	123 nC
最高動作温度:	+ 175 V
Pd - 電力損失:	277 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	19 S
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	SiC MOSFET
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	26 ns
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	14 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	53 ns

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V NチャンネルSiC MOSFET

ローム株式会社（ROHM Semiconductor）750V NチャンネルSiC MOSFETは、スイッチング周波数をブーストできるため、コンデンサ、リアクタ、およびその他の必要なコンポーネントの量を削減できます。これらのSiC MOSFETは、TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA、TO-247-4Lパッケージでご用意があります。これらのデバイスは、静的ドレイン・ソース間オン状態抵抗 R_DS(on) の標準値が13mΩ〜65mΩ、そして連続ドレイン電流（I_D）およびソース電流（I_S）（T_C = 25°C）が22A〜120Aです。これらのROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETには、高耐電圧、低on抵抗、高速スイッチング特性が備わっており、SiC技術の独自の属性が活用されています。