SCTW40N120G2VAG

Name: STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW40N120G2VAG
Price: 3147 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-SCTW40N120G2VAG

メーカ番号：

SCTW40N120G2VAG

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

あなたの設計を完成させましょう

データシート:

SCTW40N120G2VAG データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics SCTW40N120G2VAGの詳細を読む

在庫: 5

在庫：: 5 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 21 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

この製品はリードタイムが長いと報告されています。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥3,147.5	¥3,148
	¥2,035.9	¥20,359
	¥1,739.2	¥173,920
	¥1,736	¥1,041,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	HiP-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	36 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	100 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.9 V
Qg - ゲート電荷:	61 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 200 C
Pd - 電力損失:	278 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
ブランド:	STMicroelectronics
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
単位重量:	4.500 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SCTW40N120G2VAG データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: イタリア
組立原産国:: イタリア
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFET

STMicroelectronics SCTx0N120シリコンカーバイドパワーMOSFETは、高度で革新的なワイドバンドギャップ素材を使用して製造されています。この結果、1単位面積当たり卓越したオン抵抗および温度にほとんど依存しない非常に良好な切替性能を実現します。優れたSiC材料の熱特性と独自のHiP247™パッケージにより、設計者は大幅に改善された過熱能力を備えた業界標準の外形を使用することが可能です。高効率かつ高電力密度用途向けに最適なデバイスのレンダリングが特徴です。

車載グレード・シリコンカーバイド・パワーMOSFET

STMicroelectronics 車載グレード・シリコン・カーバイド・パワーMOSFET は、STの高度で革新的な第2/第3世代 SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、1ユニット領域あたりのオン抵抗および非常に優れたスイッチング性能が特徴です。MOSFETは、非常に高い動作温度能力(TJ = 200°C) 、非常に高速で堅牢な真性ボディダイオードが特徴です。