SGT190R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT190R70ILB
SGT190R70ILB

メーカ：

詳細：
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
11.5 A
190 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
GaN
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 4 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品: FET
製品タイプ: GaN FETs
上昇時間: 4 ns
シリーズ: SGT
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
タイプ: PowerGaN Transistor
標準電源切断遅延時間: 1.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 1.4 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ トランジスタ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics)PowerGaN E-Mode G-HEMT™トランジスタは、高性能、エンハンスメントモード（ノーマリーオフ）GaN デバイスで、要求の厳しい電力変換アプリケーションにおいて、非常に高速なスイッチング、低い導通損失、およびハイパワー密度を実現するように設計されています。これらのトランジスタは、窒化ガリウムの広帯域ギャップの利点を活用して、非常に低い静電容量、最小限のゲート充電、およびゼロの逆回復充電を実現し、従来のシリコンパワースイッチと比較して優れた効率性を発揮します。

在庫: 987

在庫：
987 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
20 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥669.4 ¥669
¥340.5 ¥3,405
¥308.9 ¥30,890
¥254.1 ¥127,050
完全リール（3000の倍数で注文）
¥209.3 ¥627,900
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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