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SH8KB7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KB7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KB7TB1
Price: 395 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

755-SH8KB7TB1

メーカ番号：

SH8KB7TB1

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET SOP8 2NCH 40V 13.5A

データシート:

SH8KB7TB1 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	13.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	27 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	18 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	13 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	47 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	18 ns
別の部品番号:	SH8KB7

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選択した属性: 0

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Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SH8KデュアルNch+NchパワーMOSFET

ROHM Semiconductor SH8KデュアルNch+NchパワーMOSFETは、40Vまたは60Vの2つのMOSFETが特徴で、8端子の小型表面実装SOP8パッケージに収められています。シャイシリーズには、低オン抵抗および8.4mΩ、12.4mΩ、または19.4mΩの最大R_DS（on）が備わっています。その他の機能には、2W消費電力および±8.5A、±10.5、または±13.5Aドレイン電流IDがあります。これらのMOSFETは、RoHS準拠、ハロゲンフリーで、Pbフリーメッキを使用しています。ROHM Semiconductor SH8KデュアルNch+NchパワーMOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適です。

シリコンパワーMOSFET

ROHM SemiconductorシリコンパワーMOSFETは、超高速スイッチング速度と低オン抵抗が特徴です。このMOSFETは、ミニチュア0604パッケージを含めて幅広い種類のパッケージでご用意があり、設計での省スペースを目的としています。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。