ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

SI4459ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4459ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI4459ADY-T1-GE3
Price: 491 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

781-SI4459ADY-T1-GE3

メーカ番号：

SI4459ADY-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

データシート:

SI4459ADY-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

Vishay Semiconductors SI4459ADY-T1-GE3の詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOIC-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	29 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	1 V
Qg - ゲート電荷:	129 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	7.8 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
下降時間:	20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	24 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	16 ns
シリーズ:	SI4
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	80 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
別の部品番号:	SI4459ADY-GE3
単位重量:	750 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SI4459ADY-T1-GE3 データシート

Application Notes

Mounting LITTLE FOOT‚ SO-8 Power MOSFETs

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Si4 MOSFET

Vishay/Siliconix Si4 MOFSETは、電子信号の増幅に使用されるTrenchFET^®パワーMOSFETです。これらのSi4 MOSFETは、Nチャンネル、Pチャンネル、Nチャンネル& Pチャンネルで利用可能です。Si4 MOSFETには、異なるV_GS、V_DS、温度範囲があります。これらのSi4 MOSFETは、拡張モードで動作し、電子信号の切り替えに使用されます。これらのMOSFETは、表面実装、100% R_g、UIS試験済で、リールパッケージに納められています。
詳細

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.

注目製品

VISHAY

SiJK5100E NチャンネルMOSFET

TrenchFET^® Gen VパワーMOSFETで、100Vドレイン－ソース電圧および536Wの最大電力損失が備わっています。

SiJK5100E NチャンネルMOSFET について

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV NチャンネルMOSFET

PowerPAK^®8mm x 8mm BWLパッケージに収められており、0.00115Ωのオン抵抗が備わっています。

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV NチャンネルMOSFET について

SiJK140E Nチャネル40V (D-S) MOSFET

TrenchFET^® Gen Vパワーテクノロジーを採用しており、同期整流とオートメーションに最適です。

SiJK140E Nチャネル40V (D-S) MOSFET について

スーパージャンクションMOSFET（PowerPAK® 10 x 12）

電力技術を採用し、効率を最適化し、伝導時の電力損失を最小限に抑えます。

スーパージャンクションMOSFET（PowerPAK® 10 x 12）について

SiRS5700DP Nチャネル150V (D-S) MOSFET

R_{DS x}Q_g 性能指数（FOM）が非常に低いTrenchFET® Gen VパワーMOSFETです。

SiRS5700DP Nチャネル150V (D-S) MOSFET について

在庫: 167

在庫：: 167

すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
取寄中:: 7,500

予想2027/11/25

10,000

予想2028/01/27
工場リードタイム：: 75

週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

この製品はリードタイムが長いと報告されています。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1 最大： 2500

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（2500の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥491.7	¥492
	¥310.6	¥3,106
	¥217.6	¥21,760
	¥179.4	¥89,700
	¥176.1	¥176,100
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥150	¥375,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

SI4459ADY-T1-GE3

メーカ： Vishay Semiconductors

詳細： MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

仕様

文書 (10)

データシート

Application Notes

Models

Technical Resources

環境に関する文書

製品および貿易コンプライアンス

詳細を表示

Si4 MOSFET

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

こんな商品も購入されています

注目製品 VISHAY

在庫: 167

価格 (JPY)

クイック表示

予期しないエラーが発生しました。

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

注目製品

VISHAY