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SI7370ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7370ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7370ADP-GE3
Price: 167 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

781-SI7370ADP-GE3

メーカ番号：

SI7370ADP-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

データシート:

SI7370ADP-T1-GE3 データシート (PDF)

ECADモデル:

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Vishay / Siliconix SI7370ADP-T1-GE3の詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-1212-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	50 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	57 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	8.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	69.4 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	12 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9 ns
シリーズ:	SI7
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N Channel
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	20 ns
別の部品番号:	SI7370ADP-GE3
単位重量:	540 mg

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選択した属性: 0

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データシート

SI7370ADP-T1-GE3 データシート (PDF)

REACH Certificate (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854121000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: シンガポール
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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