SIDR608EP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIDR608EP-T1-RE3
SIDR608EP-T1-RE3

メーカ：

詳細：
MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥512 ¥512
¥350.4 ¥3,504
¥243.2 ¥24,320
¥209.6 ¥104,800
¥200 ¥200,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥169.6 ¥508,800
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8
N-Channel
1 Channel
40 V
228 A
1.36 mOhms
- 16 V, 20 V
2.3 V
167 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 25 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 120 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 86 ns
シリーズ: SIDR
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 50 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 52 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Nチャンネル30-45V（D-S）MOSFET

Vishay Nチャンネル30-45V（D-S）MOSFETは、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFETで、RDS Qg性能指数（FOM）を極めて低く抑えており、 最低レベルのRDS - Qoss FOMを目的に調整されており、熱転写のための追加の場所を実現する上面の冷却機能を備えています。MOSFETは、RgおよびUIS試験を100%完了しています。

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