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SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 342 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIR4606DP-T1-GE3

メーカ番号：

SIR4606DP-T1-GE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

データシート:

SIR4606DP-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.9 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.4 V
Qg - ゲート電荷:	54 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	48 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
下降時間:	12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	60 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	28 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25 ns

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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Nチャンネル30-45V（D-S）MOSFET

Vishay Nチャンネル30-45V（D-S）MOSFETは、TrenchFET® Gen IVパワーMOSFETで、RDS Qg性能指数（FOM）を極めて低く抑えており、最低レベルのRDS - Qoss FOMを目的に調整されており、熱転写のための追加の場所を実現する上面の冷却機能を備えています。MOSFETは、RgおよびUIS試験を100%完了しています。

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カットテープ

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数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥342.2	¥342
	¥164.4	¥1,644
	¥147.2	¥14,720
	¥116.6	¥58,300
	¥113.9	¥113,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥96	¥288,000

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

SIR4606DP-T1-GE3

メーカ： Vishay Semiconductors

詳細： MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

仕様

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