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SIR632DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR632DP-T1-RE3
Price: 343 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SIR632DP-T1-RE3

メーカ番号：

SIR632DP-T1-RE3

メーカ：

Vishay Semiconductors

詳細：

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

データシート:

SIR632DP-T1-RE3 データシート

ECADモデル:

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在庫: 3,435

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数量	ユニット価格	合計額
	¥343.8	¥344
	¥207.6	¥2,076
	¥139.7	¥13,970
	¥114.6	¥57,300
	¥105	¥105,000
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥96.7	¥290,100

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-SO-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	29 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	28.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	21 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	69.5 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET, PowerPAK
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Vishay Semiconductors
構成:	Single
下降時間:	21 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	18 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	27 ns
シリーズ:	SIR
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	9 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	506.600 mg

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データシート

SIR632DP-T1-RE3 データシート

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

ThunderFET® 150-250V MOSFET

Vishay Siliconix ThunderFET^® 150-250V MOSFETは、Nチャンネル極性タイプに150V、200V、250Vの電圧V_dsがあります。現在あるパッケージの種類は、TO-252、PowerPAK SO-8、TO-263、TO-220ABです。SIR692DP 250Vフィギュア・オブ・メリット（FOM）は、前世代より42%低くなっています。 SIR692DPは、電力損失に関連する伝導を減少させ、さまざまなアプリケーションで電力密度を向上させます。 PowerPAK SO-8パッケージは、最高クラスのR_ds、Q_g、 Q_oss を、パッケージの抵抗と寄生インダクタンスを最小限に抑えることで達成しています。
詳細

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.