SISF04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISF04DN-T1-GE3
SISF04DN-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 4,011

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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥320 ¥320
¥203.2 ¥2,032
¥135.8 ¥13,580
¥111.4 ¥55,700
¥97.4 ¥97,400
完全リール（3000の倍数で注文）
¥89.6 ¥268,800
¥81.3 ¥487,800
¥80.3 ¥722,700
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
2 Channel
30 V
108 A
4 mOhms
- 12 V, 16 V
2.3 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
69.4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Dual
下降時間: 6 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 115 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 21 ns
シリーズ: SISF
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 2 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 12 ns
単位重量: 1 g
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選択した属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

共通ドレインが備わった統合MOSFET

Vishay統合MOSFETには、共通ドレインが備わっており、1、2、3チャンネルがある表面実装になっています。統合MOSFETは、Nチャンネル、N+Pチャンネルのオプション、破壊電圧範囲20V～200Vを備えています。拡張モードMOSFETは6ピンまたは8ピン、電力損失範囲は1.5W～69.4W、ドレイン・ソース間抵抗は2.15mΩ～26mΩです。

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