SP8K32HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8K32HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8K32HZGTB
Price: 402 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-SP8K32HZGTB

メーカ番号：

SP8K32HZGTB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET AECQ

データシート:

SP8K32HZGTB データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

ROHM Semiconductor SP8K32HZGTBの詳細を読む

在庫: 2,190

在庫：: 2,190 すぐに出荷可能

予期しないエラーが発生しました。後でもう一度お試しください。
工場リードタイム：: 16 週間表示されている時間を超える工場生産予定時間。

数量を入力:

最小: 1 倍数: 1

ユニット価格:

¥-

合計額:

¥-

EST関税:

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
	¥402	¥402
	¥259.1	¥2,591
	¥176.1	¥17,610
	¥140.2	¥70,100
	¥131.1	¥131,100
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥119.8	¥299,500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOP-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	60 V
Id - 連続ドレイン電流:	4.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	65 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	10 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	13 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	4 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	18 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
別の部品番号:	SP8K32HZG

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

ドキュメントの絞り込み:

データシート

SP8K32HZGTB データシート (PDF)

Specification Sheets

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SP8K パワーMOSFET

ROHM Semiconductor SP8MパワーMOSFETは、小型の表面実装パッケージ（SOP8）に収容された低オン抵抗デバイスです。SP8MはPbフリーメッキを特徴としており RoHSに準拠しています。MOSFETはハロゲンフリーで、Sn100%メッキが施されており、AEC-Q101の認定を受けています。

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。