ST8L60N065DM9

STMicroelectronics
511-ST8L60N065DM9
ST8L60N065DM9

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ライフサイクル:
新製品:
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ECADモデル:
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在庫: 244

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工場リードタイム:
16 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥993.6 ¥994
¥761.6 ¥7,616
¥616 ¥61,600
¥547.2 ¥273,600
¥468.8 ¥468,800
完全リール(3000の倍数で注文)
¥468.8 ¥1,406,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
600 V
39 A
65 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
66 nC
- 55 C
+ 150 C
202 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 3.5 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 7 ns
シリーズ: MDmesh DM9
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 59 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
単位重量: 180 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数(FoM)を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFET

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