STD80N340K6

STMicroelectronics
511-STD80N340K6
STD80N340K6

メーカ:

詳細:
MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

ECADモデル:
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在庫: 2,575

在庫:
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工場リードタイム:
13 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥689.6 ¥690
¥454.4 ¥4,544
¥321.6 ¥32,160
¥294.4 ¥147,200
¥292.8 ¥292,800
完全リール(2500の倍数で注文)
¥248 ¥620,000
¥238.4 ¥1,192,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 10 V, 10 V
3 V
17.8 nC
- 55 C
+ 150 C
92 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
下降時間: 11 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4.9 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
標準電源切断遅延時間: 34 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13 ns
単位重量: 330 mg
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFETは、スーパージャンクション技術での20年間のSTM経験で構築された究極のMDメッシュK6技術に基づいています。高電圧NチャンネルパワーMOSFETには、超低ゲート電荷および優れたRDS(on) x領域が備わっています。ST STP80N240K6 800VパワーMOSFETは、エリアあたりのベストインクラスのオン抵抗およびゲート電荷が特徴で、優れた電力密度と高効率を必要とするアプリケーションを対象としています。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V(最小値)、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C~150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。