STGP30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGP30H60DFB
STGP30H60DFB

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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15
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥538.2 ¥538
¥304 ¥3,040
¥232.5 ¥23,250
¥189.4 ¥94,700
¥167.8 ¥167,800
¥163.4 ¥326,800

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGP30H60DFB
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 60 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBT

STMicroelectronics HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTには、高度な独自のトレンチゲートとフィールドストップ構造体が使用されています。 これらの新しいHBデバイスは、伝導性とスイッチング損失を妥協し、周波数コンバーターの効率性を最大化します。 ややプラスのVCE(sat)温度係数と非常に厳しいパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。
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