STH315N10F7-6

STMicroelectronics
511-STH315N10F7-6
STH315N10F7-6

メーカ：

詳細：
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（1000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥808 ¥808
¥537.6 ¥5,376
¥384 ¥38,400
¥364.8 ¥182,400
完全リール（1000の倍数で注文）
¥363.2 ¥363,200
¥296 ¥1,480,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
100 V
180 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
180 nC
- 55 C
+ 175 C
315 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 40 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 108 ns
シリーズ: STH315N10F7-6
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 148 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 62 ns
単位重量: 1.600 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE パワー MOSFET

STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™パワーMOSFETは、クラス最高のオン抵抗と低い内部静電容量およびゲート電荷を組み合わせ、伝導と切替え高率を向上させる、AEC-Q101車載用に評価されたNチャンネル・パワーMOSFETです。TO-220、または2ピン/6ピンH2PAK業界標準パッケージを採用し、ボードサイズの縮小と電力密度の最大化を支援します。また、STH315N10F7 MOSFETは、アバランシェ耐量が高く、潜在的にダメージを受けやすい環境でも耐久力があります。定格電圧100Vで、標準的な過電圧サージに耐久する適切な安全域を提供します。STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFETは、自動車やスイッチング・アプリケーションの過酷な環境下でのパフォーマンスにも適しています。
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STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

STripFET™ F7パワーMOSFET

STMicroelectronics  STripFET F7 MOSFETは、設計の簡素化、および備品サイズとコスト削減を目的とした、より高速かつより効率的なスイッチングを備えた拡張トレンチゲート構造が特徴です。内部静電容量およびゲート電荷も削減し、低スイッチング損失と組み合わせた低オン状態抵抗です。同期整流に理想的であり、最低EMIに最適なキャパシタンスCrss/Ciss比率があります。STripFET F7は、高アバランシェ耐久性が特徴です。
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