STL13N60M6

Name: STMicroelectronics STL13N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60M6
Price: 463 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STL13N60M6

メーカ番号：

STL13N60M6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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データシート:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerFLAT-5x6-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	7 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	415 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.25 V
Qg - ゲート電荷:	13 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	52 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	9.4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6.5 ns
シリーズ:	Mdmesh M6
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	25.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15.8 ns
単位重量:	76 mg

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETには、低ゲート電荷（Q_g）と最適化された容量特性が組み合わされており、電力変換アプリケーションにおける新しいトポロジでの高い効率性を目的としています。スーパージャンクションMDmesh™ M6シリーズには、効率性が極めて高い性能が備わっており、電力密度の増大と低ゲート電荷がもたらされており、高周波数を目的としています。M6シリーズMOSFETには、600～700Vの破壊電圧範囲が備わっています。また、TOリードレス (TO-LL) パッケージ・ソリューションを始めとする広範なパッケージ・オプションがあり、効率的な熱管理が可能になります。このデバイスには、広範な動作電圧が備わっており、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、テレコム、サーバ、ソーラーを始めとする工業アプリケーションを対象としています。

MDmesh™ II パワーMOSFET

STマイクロエレクトロニクス MDmesh™ II パワーMOSFETは、業界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を達成するため、垂直構造をSTMのストリップレイアウトに関連付け、最も要求の厳しい高効率コンバータに対応させました。MDmesh™ II パワーMOSFETは、完全絶縁され、ピンからヒートシンク板までの沿面経路の長い薄型パッケージを使用しています。100%アバランシェ試験済みで、低い入力キャパシタンス、ゲート電荷、ゲート入力抵抗を特徴とします。
詳細

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.