STL13N60M6

Name: STMicroelectronics STL13N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60M6
Price: 454 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STL13N60M6

メーカ番号：

STL13N60M6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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データシート:

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	¥149.1	¥149,100
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥133.8	¥401,400

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerFLAT-5x6-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	7 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	415 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.25 V
Qg - ゲート電荷:	13 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	52 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	9.4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6.5 ns
シリーズ:	Mdmesh M6
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	25.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15.8 ns
単位重量:	76 mg

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

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