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STP80N240K6

Name: STMicroelectronics STP80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N240K6
Price: 1181 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP80N240K6

メーカ番号：

STP80N240K6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

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データシート:

STP80N240K6 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	10 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	220 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	25.9 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	140 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
下降時間:	12 s
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.3 ns
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	47.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	16 ns
単位重量:	2 g

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFETは、スーパージャンクション技術での20年間のSTM経験で構築された究極のMDメッシュK6技術に基づいています。高電圧NチャンネルパワーMOSFETには、超低ゲート電荷および優れたR_DS（on） x領域が備わっています。ST STP80N240K6 800VパワーMOSFETは、エリアあたりのベストインクラスのオン抵抗およびゲート電荷が特徴で、優れた電力密度と高効率を必要とするアプリケーションを対象としています。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。