STP80N240K6

STMicroelectronics
511-STP80N240K6
STP80N240K6

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,012.2 ¥1,012
¥542.8 ¥5,428
¥497.2 ¥49,720
¥440.1 ¥220,050

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25.9 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: CN
下降時間: 12 s
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 5.3 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 47.8 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 16 ns
単位重量: 2 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。

STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6パワーMOSFETは、スーパージャンクション技術での20年間のSTM経験で構築された究極のMDメッシュK6技術に基づいています。高電圧NチャンネルパワーMOSFETには、超低ゲート電荷および優れたRDS（on） x領域が備わっています。ST STP80N240K6 800VパワーMOSFETは、エリアあたりのベストインクラスのオン抵抗およびゲート電荷が特徴で、優れた電力密度と高効率を必要とするアプリケーションを対象としています。

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