TD120N16SOF

Infineon Technologies
641-TD120N16SOF
TD120N16SOF

メーカ：

詳細：
ディスクリート半導体モジュール 20mm Solder Bond Thyristor/Diode

データシート:
ECADモデル:
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他のパッケージ

メーカ 部品番号:
TD120N16SOFHPSA1
梱包:
Tray
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¥5,141
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1

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ディスクリート半導体モジュール
RoHS:  
Thyristor-Diode Modules
Thyristor / Diode
Si
Screw Mount
- 40 C
+ 125 C
Tray
ブランド: Infineon Technologies
ゲート トリガー電流 - Igt: 100 mA
保持電流（Ih 最大）: 250 mA
製品タイプ: Discrete Semiconductor Modules
工場パックの数量: 12
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
別の部品番号: SP001272854 TD120N16SOFHPSA1
単位重量: 75 g
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選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

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JPHTS:
854110090
CNHTS:
8504901900
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541300080
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

はんだ接着パワーブロックIGBTモジュール

Infineonはんだ接着パワーブロックIGBTモジュールは、はんだ接着技術を利用したバイポーラーパワーモジュールで、費用対効果の高いアプリケーションの要件に対応します。これらの新しいパワーブラックモジュールによって、これまでのところは圧力の接点のみを使用していた、そのすでに包括的な電源モジュールのポートフォリオが拡張されています。（モジュール/アプリケーションに応じて）市場価格の約25%以下の関連圧力コンタクトバリアントはんだ接着モジュールは、最大50mmの小型パッケージサイズでのモジュールにおいて、大幅なコスト面でのメリットを提供します。小型はんだパワーブラックモジュールは、圧力接点の高い堅牢性を必ずしも必要としない標準駆動またはUPSのようなアプリケーションに理想的です。
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