UF3C065080B7S

Name: onsemi UF3C065080B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065080B7S
Price: 2239 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

431-UF3C065080B7S

メーカ番号：

UF3C065080B7S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7

データシート:

UF3C065080B7S データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-7
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	27 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	85 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	23 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	136.4 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SiC FET
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	7 ns, 6 ns
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	8 ns, 7 ns
シリーズ:	UF3C
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	25 ns, 26 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	25 ns, 30 ns

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データシート

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: アメリカ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

UF3C SiC FET

onsemi UF3C高性能SiC FETは、高性能G3 SiC JFETとカスコード最適化Si MOSFETをカスコード接続し、標準的なゲート駆動SiCデバイスを製造する、シリコンカーバイド（SiC）製品です。このシリーズは、超低ゲート電荷を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするアプリケーションに最適です。オンセミUF3C SiC FETは、650V、1200V、1700Vのバージョンがあり、D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3Lパッケージで提供されます。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3C SiC FET (D2-PAKパッケージ内）

Qorvo UF3C SiC FETは、D2-PAK-3LおよびD2-PAK-7L表面実装パッケージに収められており、独自のカスケード回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。カスケード回路構成では、通常on SiC JFETは、Si MOSFETとコパッケージされており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。これらのSiC FETには、低ボディダイオード、低ゲート電荷、0V ～15V駆動が可能になる4.8V閾値電圧が備わっています。これらのD2-PAK SiC FETデバイスはESD保護されており、パッケージの沿面距離と >6.1mmのクリアランス距離を実現しています。FETのスタンダードのゲート駆動特性は、Si IGBT、シリコンFET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションのドロップイン置換品です。1,200Vおよび650Vドレイン－ソース間破壊電圧バリアントでご用意があり、テレコムとサーバ電力、産業用電源、モータドライブ、誘導加熱といった任意の制御環境での使用に最適です。