UF3C120150B7S

onsemi
431-UF3C120150B7S
UF3C120150B7S

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 412

在庫：
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工場リードタイム：
20 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（800の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,836.8 ¥1,837
¥1,275.2 ¥12,752
¥1,080 ¥108,000
¥1,008 ¥504,000
完全リール（800の倍数で注文）
¥1,008 ¥806,400
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
17 A
150 mOhms
- 25 V, + 25 V
4.4 V
25.7 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
SiC FET
ブランド: onsemi
コンプライアンス: Done
構成: Single
下降時間: 8 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
パッケージ化: MouseReel
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 6 ns
シリーズ: UF3C
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 32 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 32 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FET

onsemi UF3C高性能SiC FETは、高性能G3 SiC JFETとカスコード最適化Si MOSFETをカスコード接続し、標準的なゲート駆動SiCデバイスを製造する、シリコンカーバイド（SiC）製品です。このシリーズは、超低ゲート電荷を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするアプリケーションに最適です。オンセミUF3C SiC FETは、650V、1200V、1700Vのバージョンがあり、D2PAK-3、D2PAK-7、D2PAK-7L、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-220-3Lパッケージで提供されます。

UF3C SiC FET (D2-PAKパッケージ内）

Qorvo UF3C SiC FETは、D2-PAK-3LおよびD2-PAK-7L表面実装パッケージに収められており、独自のカスケード回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。カスケード回路構成では、通常on SiC JFETは、Si MOSFETとコパッケージされており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。これらのSiC FETには、低ボディダイオード、低ゲート電荷、0V ～15V駆動が可能になる4.8V閾値電圧が備わっています。これらのD2-PAK SiC FETデバイスはESD保護されており、パッケージの沿面距離と >6.1mmのクリアランス距離を実現しています。FETのスタンダードのゲート駆動特性は、Si IGBT、シリコンFET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションのドロップイン置換品です。1,200Vおよび650Vドレイン－ソース間破壊電圧バリアントでご用意があり、テレコムとサーバ電力、産業用電源、モータドライブ、誘導加熱といった任意の制御環境での使用に最適です。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

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