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UF3SC065030B7S

Name: onsemi UF3SC065030B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065030B7S
Price: 4129 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

431-UF3SC065030B7S

メーカ番号：

UF3SC065030B7S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7

データシート:

UF3SC065030B7S データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D2PAK-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	62 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	27 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	6 V
Qg - ゲート電荷:	43 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	214 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	SiC FET
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	11 ns, 9 ns
水分感度:	Yes
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	SiC FETs
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	26 ns, 28 ns
シリーズ:	UF3SC
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
タイプ:	SiC FET
標準電源切断遅延時間:	46 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	23 ns
単位重量:	4.675 g

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: アメリカ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

UF3SC高性能SiC FET (D2-PAK)

Qorvo UF3SC高性能SiC FET（7 D2-PAK-7LリードKelvinパッケージ）は、独自の「カスケード」回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。この回路構成には、SiCMOSFETと同梱されているノーマリーオンのSiC JFETが搭載されており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスへの真の “ドロップイン置換” が可能になる、スタンダードのゲート駆動特性を備えています。これらの高性能SiC FETは、175°°Cの最高温度、43nCの低ゲート電荷、5Vの標準閾値電圧で動作します。代表的なアプリケーションには、テレコムおよびサーバー電源、モーター駆動、誘導加熱、産業用電源などがあります。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650Vと1200V高性能SiC FET

onsemi UF3SC 650Vおよび1200V高性能SiC FETは、7mΩ～45mΩの低RDS（on）を持つシリコンカーバイドデバイスで、高速スイッチングと低スイッチング損失を実現します。これらのデバイスは、独自のカスコード回路構成に基づいており、超低ゲート電荷を示します。カスコード構成では、ノーマリーオンのSiC JFETをシリコンMOSFETと同梱包し、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを生成します。 UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクション・デバイスの「ドロップイン置き換え」を可能にする標準的なゲートドライブ特性を備えています。オンセミのUF3SC FETは、-55°C～+175°Cの温度範囲と、-20V～+20Vのゲート・ソース電圧範囲で動作します。これらのSiC FETは、電気自動車（EV）充電、太陽光発電（PV）インバータ、モータドライブ、スイッチモード電源、力率改善（PFC）モジュール、誘導加熱に最適です。オンセミのUF3SC SiC FETは、TO-247-3LおよびTO-247-4Lパッケージで提供され、高速スイッチングとクリーンなゲート波形を実現します。