UF3SC065040B7S

onsemi
431-UF3SC065040B7S
UF3SC065040B7S

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 738

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,040 ¥3,040
¥2,161.4 ¥21,614
¥1,890.8 ¥189,080
¥1,848.4 ¥924,200
完全リール（800の倍数で注文）
¥1,765.3 ¥1,412,240

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
43 A
42 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
195 W
Enhancement
SiC FET
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 9 ns, 12 ns
水分感度: Yes
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: SiC FETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 24 ns, 27 ns
シリーズ: UF3SC
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
タイプ: SiC FET
標準電源切断遅延時間: 45 ns, 47 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 22 ns
単位重量: 4.675 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
アメリカ
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

UF3SC高性能SiC FET (D2-PAK)

Qorvo UF3SC高性能SiC FET（7 D2-PAK-7LリードKelvinパッケージ）は、独自の「カスケード」回路構成に基づいており、優れた逆回復が特徴です。この 回路構成には、SiCMOSFETと同梱されているノーマリーオンのSiC JFETが搭載されており、通常オフのSiC FETデバイスを生成できます。UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスへの真の “ドロップイン置換” が可能になる、スタンダードのゲート駆動特性を備えています。これらの高性能SiC FETは、175°°Cの最高温度、43nCの低ゲート電荷、5Vの標準閾値電圧で動作します。代表的なアプリケーションには、 テレコムおよびサーバー電源、モーター駆動、誘導加熱、産業用電源などがあります。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650Vと1200V高性能SiC FET

onsemi UF3SC 650Vおよび1200V高性能SiC FETは、7mΩ～45mΩの低RDS（on）を持つシリコンカーバイドデバイスで、高速スイッチングと低スイッチング損失を実現します。これらのデバイスは、独自のカスコード回路構成に基づいており、超低ゲート電荷を示します。カスコード構成では、ノーマリーオンのSiC JFETをシリコンMOSFETと同梱包し、ノーマリーオフのSiC FETデバイスを生成します。 UF3SC FETは、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクション・デバイスの「ドロップイン置き換え」を可能にする標準的なゲートドライブ特性を備えています。オンセミのUF3SC FETは、-55°C～+175°Cの温度範囲と、-20V～+20Vのゲート・ソース電圧範囲で動作します。 これらのSiC FETは、電気自動車（EV）充電、太陽光発電（PV）インバータ、モータドライブ、スイッチモード電源、力率改善（PFC）モジュール、誘導加熱に最適です。オンセミのUF3SC SiC FETは、TO-247-3LおよびTO-247-4Lパッケージで提供され、高速スイッチングとクリーンなゲート波形を実現します。

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