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UT6JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor UT6JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6JE5TCR
Price: 94 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-UT6JE5TCR

メーカ番号：

UT6JE5TCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

データシート:

UT6JE5TCR データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-2020-8D
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	1 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	840 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	6.7 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	25 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	1.3 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5.4 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	2 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	31 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	6.3 ns

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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Hall Effect ICs

ROHM Semiconductor Hall Effect ICs include unipolar detection, omnipolar detection, bipolar detection, and omnipolar with polarity detection ICs. These ICs feature a low average current of 3.5µA and fully-integrated CMOS logic output circuitry. The integrated dynamic offset cancellation provides high sensitivity, allowing for less precise placement of the permanent magnet. The product is rated at 8kV ESD withstand and rated for -40°C to +85°C operation. The Hall ICs are ideal for a wide range of portable consumer electronics applications including mobile phones, digital cameras, and computers.

電気自動車（EV）ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車（EV）ソリューションは、最先端の電気自動車（EV）における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。